MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223 (TSM1NB60CW RPG)
Part Number: TSM1NB60CW RPG
Documents / Media: datasheets TSM1NB60CW RPG
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 138pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 39W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-223
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу